6月16日，日本Novel Crystal Technology（NCT）公司公告称，日前已成功量产了100mm（4英寸）的“氧化镓”（β-Ga2O3）晶圆，并计划于2021年内开始供应晶圆。

这是全球首次量产该类型的晶圆，标示着在新一代半导体材料研发方面，日本公司又一次走在了行业的前列。

氧化镓的别名是三氧化二镓，氧化镓（Ga2O3）是一种宽禁带半导体，也是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

NCT公司是由日本电子零部件企业田村制作所和AGC等出资于2015年成立的，主要研发、生产新一代半导体技术。

据富士经济2019年6月5日公布的市场预测，2030年氧化镓功率元件的市场规模将会达到1542亿日元（约人民币92.76亿元），这个市场规模要比氮化镓功率元件的规模（1085亿日元，约人民币65.1亿元）还要大。

在我国，尽管起步较晚，但对于氧化镓的研究也同样不断推进状态中。

中国电科46所采用导模法，成功已制备出高质量的4英寸氧化镓单晶，其宽度接近100mm，总长度达到250mm，可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。

中科院上海微系统与信息技术研究所和西安电子科技大学携手在氧化镓功率器件领域也取得了进展，课题组利用“万能离子刀”智能剥离与转移技术，首次将晶圆级β-Ga2O3单晶薄膜（< 400 nm）与高导热的Si和4H-SiC衬底晶圆级集成，并制备出高性能器件。

日本在半导体材料以及设备研发上具有很大的优势。日本公司不仅肯大手笔投资增产现有技术产品，还在努力布局下一代功率半导体材料，其半导体实力，不容小觑。