国产薄膜沉积设备龙头的新突破
摩尔芯闻
3天前
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拓荆科技股份有限公司(下文简称“拓荆”)成立于2010年4月,是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业,专业从事高端半导体薄膜
设备
的研发、生产、销售与技术服务。
该公司拥有12英寸
PECVD
(等离子体
化学
气相沉积
设备
)、
ALD
(原子层薄膜沉积
设备
)、SACVD(次常压
化学
气相沉积设备)三个完整系列产品,产品广泛应用于
集成电路
前道和后道、
TSV
封装
、光波导、
LED
、3D-
NAND
闪存
、
OLED
显示等高端技术领域。
拓荆科技三次承担国家“极
大规模集成电路
制造装备与成套
工艺
科技重大专项(02专项)”。通过多年技术积累,该公司已形成自主知识产权体系,截止到2020年9月底,累计申请专利453项。
2018年9月,由拓荆科技自主研制的12英寸
原子层沉积
(
ALD
)
设备
FT-300T通过了客户的验收,标志着国产设备再进一步。
12英寸
PECVD
设备
PF-300T
2021年,在国家科技重大专项和省科技重大专项的支持下,拓荆科技SACVD研发团队自主创新研发,成功研制了国内首台12英寸/8英寸量产型SACVD
设备
并实现应用,顺利通过生产线成套
工艺
的考核
验证
。
因此在本次中国
集成电路
创新联盟组织召开的“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”上,“量产型SACVD
设备
研发与应用”项目荣获第四届“IC创新奖”技术创新奖!
SACVD
设备
是芯片制造过程中所需的关键设备之一,也是亟须突破解决的“卡脖子”关键核心设备。拓荆SACVD设备的研制,不仅体现了国产装备的技术创新,也体现了国产装备的创新速度,代表了国产装备向高端的跃升。
如果说
北方华创
和
中微半导体
是国内
设备
界的“南北双雄”,这两家公司在
PVD
,清洗,扩撒热处理,
CMP
抛光,以及
刻蚀
方面占据龙头地位,那拓荆则是
CVD
领域的“绝世高手”!
薄膜沉积
设备
芯片制造的关键设备之一
芯片制造
工艺
包括
光刻
,
刻蚀
,薄膜沉积,清洗,
退火
,
CMP
,
离子注入
等数十道
工艺
。其中
光刻
,
刻蚀
,和薄膜沉积是最核心的三种工艺。
许多薄膜的特性与晶粒尺寸密切相关。膜硬度,
电导率
和膜应力演化等均与晶粒尺寸相关,
工艺
难度非常大。因此薄膜沉积是最核心的工艺之一。
而薄膜
工艺
从实现原理包括,
物理气相沉积
(
PVD
),
化学
气相沉积
(
CVD
),热
氧化
法等,甚至
45nm
制程以下还需要用到更先进的
原子层沉积
(
ALD
)
设备
。
沉积对象包括,各类阻挡层,介质层,各种金属薄膜等,技术难度非常大。
其中
PECVD
设备
常用来沉积
二氧化硅
,
氮化硅
等其他
氧化
物在内的介质层薄膜,这是芯片制造中最关键的几个步奏。金属互联层的埋线前需要先在介质层上挖深槽,做深孔,为后续
工艺
打下基础,因此薄膜质量有着至关重要的意义。
此外
ALD
(原子层薄膜沉积),广泛用于
45nm
以下其他薄膜
材料
沉积,比如阻挡层沉积,High-k材料沉积,导电膜沉积等。
ALD
在自对准图形技术中起到关键作用,能比当前的
光刻
技术形成更小的图形,在这种技术中,薄间隔物被沉积在预先定义的特征上。这层间隔膜必须高度保形并且非常均匀,因为它将限定最终图形的关键尺寸
因此
ALD
可以制造出与内部形状高度吻合的薄膜层,而且
器件
图形顶部、侧面和底部沉积的膜厚度都是相同的。这种极好的保形性是形成高纵横比和3D结构的关键,特别是在内存,
NAND
闪存
这种内部结构比较复杂的
工艺
上,因此
ALD
设备
有着更加广泛的应用。
拓荆目前在
PECVD
设备
和
ALD
设备
上有深厚的积累,其设备可以满足8-12英寸各种薄膜的沉积
工艺
。
随着
工艺
的不断前进,更小线宽的工艺特征对
设备
提出了更高的要求,目前全世界仅剩
应用材料
,泛林,东京电子等几少数
设备
巨头有能力生产制造这种高精尖的半导体沉积设备。在中国半导体国产自主的大潮之下,拓荆则是继
北方华创
,
中微半导体
之后,又一个有可能成长为
半导体
设备
细分领域龙头的希望之星!
国内扩建
晶圆
工厂,
半导体
设备
公司大爆发
据不完全统计,近几年包括积塔,华润微,
中芯国际
,
格科微
,
惠科
微,
士兰微
,富芯,紫光
DRAM
,
合肥长鑫
,长沙
比亚迪
,广东
粤芯
,等20余条
晶圆
工厂计划投资新建及扩产,总金额超过3000亿元。
按照行业规律,新建一个
晶圆
工厂,总投资中的20%为土建,净化间,厂务系统,以及其他配套设施;其余80%为
设备
投入,假设这些项目均按计划建设,那么每年将带来数百亿元的设备订单!
通常,
光刻
设备
,
刻蚀
设备和薄膜沉积设备这三种是投入占比最大的设备,其他还包括清洗,去胶,抛光,
离子注入
,
退火
,量测等其他
设备
。
PVD
(
物理气相沉积
)和
CVD
(
化学
气相沉积
)这种两种是最常见的薄膜沉积
设备
,其中
CVD
占到15%左右,比
PVD
设备
还多一些,对应的沉积
工艺
甚至更复杂一些,技术难度也更高一些。
按此这样计算,中国
CVD
设备
需求量将随着
晶圆
工厂开工建设而大爆发。目前国内各大
设备
公司订单火爆,设备交期几乎都拉长到一年以上,面对旺盛的需求,根本来不及生产。
得益于这波
晶圆
工厂的建设大潮,包括
北方华创
,
中微半导体
,以及拓荆在内几乎所有的国产
半导体
设备
公司都赚到手软!
因此有理由相信,拓荆未来将在中国
半导体设备
领域上占据一席之地,成为细分行业的最优秀的公司!
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