半导体 | 三星3nm制程工艺已成功流片！采用全环绕栅极晶体管技术

CINNO 5天前

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来源 ：TechWeb

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6月30日消息，据国外媒体报道，在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后，三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单，苹果的订单也就全部交给了台积电，三星随后在芯片制程工艺和良品率方面，也始终不及台积电，在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。

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但在芯片制程工艺及代工市场连续多年落后台积电的三星，并不甘于落后，在7nm和5nm制程工艺未能先于台积电量产之后，他们把目标放在了更先进的3nm制程工艺上。去年就曾有消息称，为了在3nm工艺上领先台积电，三星修改了芯片工艺路线图，跳过4nm工艺，由5nm直接提升到3nm。

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而外媒的报道显示，力求在3nm制程工艺方面领先台积电的三星，目前也传出了好消息，他们的3nm制程工艺已成功流片。

外媒在报道中，并未三星电子的3nm制程工艺流片的具体时间，但成功流片，也就意味着这一制程工艺距离量产又更近了一步。

不同于台积电在3nm工艺上继续使用的成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），三星的3nm工艺，采用的是全环绕栅极晶体管（GAA）技术，这也就需要不同的设计和验证平台。

外媒在报道中也提到，三星3nm工艺，采用的是Synopsys公司的Fusion设计平台，三星3nm制程工艺成功流片，是两家公司广泛合作的成果，也将加速这一工艺的量产。

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