CP测试的目的就是在封装前就把坏的芯片筛选出来,以节省封装的成本。同时可以更直接的知道Wafer 的良率。CP测试可检查fab厂制造的工艺水平。现在对于一般的wafer成熟工艺,很多公司多把CP给省了,以减少CP测试成本。具体做不做CP测试,就是封装成本和CP测试成本综合考量的结果。 一片晶圆越靠近边缘,die(一个小方格,也就是一个未封装的芯片)出问题的概率越大。 随着芯片规模的越来越大,测试也更为复杂。ATE(Automatic Test Equipment)也就应运而生。目前ATE公司最大的是Teradyne和爱德万,NI目前也在做这一块,并且很多小公司都在用NI的仪器。国内的公司知名的有长川科技。 ATE作为集成了众多高精密的Instruments的设备,价格自然不菲。一台泰瑞达的高端Ultra Flex可以买上海的几套房!
二
芯片测试流程
在测试之前,当然要有ATE设备,CP测试需要Probe Card, FT测试需要Load board, Socckt等。来一张全家福吧。最下边左一是Load Board(又叫DUT Board), 左二是Probe Card. 然后由芯片设计公司来提供Design Spec和Test Spec(datasheet)来制定Test Plan,开发测试程序,建立测试项。 Test Plan示意图: 一般测试通常包含以下测试项: DC parameters Test 主要包含以下测试,Continuity测试(又称open/short test)主要是检查芯片的引脚以及和机台的连接是否完好。其余的测试都是检查DC电气参数是否在一定的范围内。 Continuity TestLeakage Test (IIL/IIH)Power Supply Current Test (IDDQ)Other Current/Voltage Test (IOZL/IOZH, IOS, VOL/IOL, VOH/IOH)LDO,DCDC 电源测试。 以下这张图就是open/short test原理示意图,DUT(Device Under Test)的引脚都挂有上下两个保护二极管,根据二极管单向导通以及截至电压的特性,对其拉/灌电流,然后测试电压,看起是否在设定的limit范围内。 整个过程是由ATE里的instruments PE(Pin Electronics)完成的。 Digital Functional Test 这部分的测试主要是跑测试向量(pattern),pattern则是设计公司的DFT工程师用ATPG(auto test pattern generation)工具生成的。pattern测试基本就是加激励,然后捕捉输出,再和期望值进行比较。 与Functional Test相对应的的是Structure Test,包括Scan,Boundary Scan等,Pattern是根据芯片制造过程中产生的的defects和fault 模型来产生的。 应用Structure Test能更好的提高覆盖率。当然还有Build-in-Self-Test (BIST)主要是针对memory进行的测试。 AC Parameters Test 主要是AC Timing Tests,包含Setup Time, Hold Time, Propagation Delay等时序的检查。 ADC and DAC Test 主要是数模/模数混合测试,检查信号经过ADC/DAC后的信号是否符合期望,这个地方涉及到的信号知识比较多。总体来说包含静态测试和动态测试。 Static Test – Histogram method (INL, DNL)Dynamic Test – SNR, THD, SINAD 除了以上常规测试项,根据芯片的类型不同可能会进行不同的测试,比如RF测试,SerDes高速测试,Efuse测试等。一个基本的测试流程图如下: 测试流程图 所有的测试项都是在ATE上执行的,一般会执行几秒到几十秒,因为ATE是根据机时来付费的(很少有海思,苹果这种土豪公司一次买数十台),所以缩短测试时间变得尤其重要!另外一般芯片在量产测试的时候,都是百万颗或者千万颗,每个芯片节省一秒,总体来说缩短的时间还是很可观的。 在测试执行完成后,ATE会输出一个Datalog,以显示测试结果。对于测试pass或fail测试项的不同,也会对其进行分类(Bin),最后由Handler分拣。datalog 示意图: 以上就是芯片的测试完整流程。再放两张芯片测试的封测厂/实验室的环境图: 封测厂需要穿静电服 图为Advantest测试机台 当然,射频器件测量必备的测试仪器--- 网络分析仪,推荐这款 ▼▼▼