7月13日上午，据外媒报道称，美国国会部分议员已于当地时间12日致信美国商务部部长雷蒙多（Raimondo），要求其考虑将中国存储芯片制造企业长江存储列入“实体清单”。

美国议员要求将长江存储列入“实体清单”

报道称，该信函指出，长江存储是由政府控制并与军方关联的企业，其制造的存储芯片可广泛应用于国防、人工智能和航天领域。

同时，该信函还称，长江存储的管理人员之前在中芯国际和中国军方有关的工业和信息化部工作过。

除此之外，该信函还表示，长江存储通过其母公司清华控股的巨大的分公司网络和附属公司向中国军方供货的。

基于以上这些所谓的“证据”，相关美国国会议员认为，长江存储与中国军方有关系，要求美国商务部“在这件紧急事务上发挥领导作用”，把长江存储列入实体清单，防止长江存储获得继续从事违背美国国家安全的活动所需要的技术，以维护保护美国国家安全。

目前只是激进的反华议员的“个人表演”

美国之音的这篇报道，随后引发了国内半导体产业界的关注，一些业内认为，如果美国真的将长江存储列入实体清单，那么将对于我国存储产业的发展带来极大的阻力。或许是受到该消息的影响，7月13日A股众多半导体相关个股都出现了大跌。

不过，我们也不必过于紧张，毕竟这目前还只是少数激进的美国反华议员的个人意见函而已，并不意味着真的会发生。

据了解，此次向美国商务部致函的是美国众议院外交委员会首席共和党成员麦考尔（Michael McCaul）和共和党参议员哈格蒂（Bill Hagerty）。特别是麦考尔，其一直以来都是一个激进的反华议员。

早在今年3月，麦考尔就曾伙同另一位激进的反华议员鲁比奥（Marco Rubio）就曾致信美国商务部长雷蒙多称，基于中芯国际协助中国大陆追求“取代美国在全球的领先地位”方面发挥的作用，为保护美国的国家安全利益，要求禁止可能支持中芯国际生产半导体的所有设备的供应。

虽然去年年底美国将中芯国际列入了实体清单，但是中芯国际的供应商通过向美国政府申请许可，依然可以向中芯国际供应成熟制程所需的相关含有美国技术的半导体设备和材料等。

到目前为止，麦考尔和鲁比奥的要求全面向中芯国际禁止的要求，并未得到美国商务部的支持。

另外，在今年4月，麦考尔还联合另一位参议员Tom Cotton再度致信美国商务部部长雷蒙多，要求EDA软件在销售给所有中国企业或单位之前，都必须获得美国政府的特别许可。言下之意就是，要求EDA软件对中国进行全面的禁售。信中还强调，这样的行动将确保美国企业及伙伴国、盟国的企业将相关产品或技术在销售给中国企业或单位之后，不会被反过来扼杀。

当时，该消息也引发了国内业界的关注和担忧。然而到目前为止，麦考尔的这项请求，同样也并未得到美国商务部的支持。

因此，我们没必要对于个别激进的反华议员的个人言论过于担忧。当然，这也并不是意味着一切可以高枕无忧。

自从2019年美国对华为制裁之后，国内的众多的半导体企业应该就已经有了深刻的“危机意识”，近两年来国内的半导体制造厂商也在大力的扶持国产设备及材料厂商。

长江存储192层 3D NAND有望年内量产？

长江存储成立于2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。当时紫光集团占股51.04%。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片。而随着2018年长江存储的32层NAND Flash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并不会影响到市场。

▲长江存储64层256Gb TLC 3D NAND Flash

2019年9月长江存储正式宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。据长江存储介绍，该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。

随后，长江存储会跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈，力求进一步缩短与三星、东芝等公司的差距。

2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。

2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛”，随后推出了一系列自有品牌SSD产品。并在市场上获得了不错的表现。

此前有消息称，长江存储有望于今年年中试产192层的3D NAND，追平国际一线厂商。但是随后长江存储予以了否认。

虽然长江存储在存储技术上正在快速追赶国际一线厂商，并且差距也正在缩小，但是不可否认的是，目前差距依然存在，特别是产能上的差距。

根据规划，2020年底长江存储的64层3D NAND闪存的产能提升至6万片晶圆/月的规模。要知道目前仅三星一家的NAND FLASH的产能已经达到了约50万片/月的规模。

而要提升产能，提升芯片的工艺制程，实现对于一线厂商的追赶，就必须要采购大量的先进的半导体设备，而在一块肯定是需要美系半导体设备厂商支持的。

所以，在没有被美国制裁的情况下，长江存储应该充分利用现有的发展机会，加速自身的产能建设，不能简单的为了追求产线国产化而放慢前进的脚步。当然，在这同时也需要有第二手的准备，如果“制裁”真的来了，也能有应对方案。而此前长江存储也一直有支持国产设备和材料。

但就目前国内半导体设备和材料领域的发展现状来看，要想完全摆脱美系设备和材料，还不太现实，一切都还需要时间。但是我们也不能因噎废食，因为怕被打压而停下脚步。

编辑：芯智讯-林子