西安紫光国芯总裁任奇伟受邀在IMW 2021（国际存储器研讨会） 作专题报告分享

西安紫光国芯半导体 1周前

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近期，西安紫光国芯总裁任奇伟受邀参加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop（IMW 2021，国际存储器研讨会） ”的线上会议，并作题为《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的专题报告分享。

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任奇伟代表西安紫光国芯在线分享专题报告

通过对存储系统的市场需求以及未来发展的深入剖析，任总阐释了当前热门的3D集成技术在嵌入式存储器领域的广泛应用，并向与会嘉宾重点介绍了公司最新研发世界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案——异质嵌入式DRAM（SeDRAM）。

相比传统的嵌入式SRAM和DRAM存储器(eSRAM和eDRAM)，SeDRAM采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现对存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC能够方便简单地集成。

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SeDRAM技术与传统集成技术优势对比

SeDRAM可实现超大带宽、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM，在超算、大数据分析、人工智能、智能物联网等应用领域具有广阔应用前景。同时，基于SeDRAM技术西安紫光国芯已成功开发多款产品，并成功实现世界首款大规模量产芯片。

相关技术论文已在2020 IEDM（IEEE InternationalElectron Device Meeting）和2021 CICC（IEEE CustomIntegrated Circuits Conference）上公开发表。

依托开放式、定制化、平台式的合作模式，西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力，将帮助有大带宽、低功耗、高算力需求的客户迅速开发产品并推向市场。


关于IMW


IMW（International Memory Workshop）是存储器领域国际顶级的研讨会之一，专注于存储器工艺与设计技术、产业应用、市场需求与市场战略的研讨。IMW由IEEE电子器件协会赞助，每年五月举办。IMW发展历史可追溯到1976年，2008年NVSMW（非易失性半导体存储器研讨会）和ICMTD（国际内存技术与设计会议）走向融合，IMW随即将易失性和非易失性存储器纳入同一论坛，并将研究范围从非易失性存储器技术和设计扩展到其它存储器技术领域。


撰稿：福君
编辑/排版：周月
核准：立哥、月婷


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