<span class="pushToOtherVc" onclick='pushToOtherVc("course",5661,40539,2)'>IGBT</span>的技术演变

IGBT的技术演变

原创 英飞凌工业半导体 今天

从平面型IGBT2到微沟槽IGBT7，英飞凌IGBT已走过20多年的历程。在这个过程中IGBT损耗不断降低，电流密度不断提升。英飞凌亚太区高级技术专家马国伟博士将从器件结构入手，分析了历代IGBT的结构变化与性能改进。

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