近期，五十五所InP多功能芯片研发团队在W波段波束赋形芯片研制方面取得重大进展。在国内首次实现了W波段四通道幅相控制和混变频一体化设计，在不到9mm²的芯片上集成了倍频、混频、放大、移相、可变增益、滤波、串并转换以及电源调制等多个功能。该芯片不仅在功能上可对标国外Si基BiCMOS产品，而且在输出功率等方面具有明显优势，应用前景广阔。

InP HBT为磷化铟异质结双极型晶体管的简称，是一种截止频率高、性能一致性好的化合物半导体器件，适用于高频及高速芯片的研制，尤其对于数字和微波集成的多功能芯片，其性能优势更为凸显。基于InP HBT工艺的毫米波/亚毫米波多功能芯片，在主动式安检、引信、制导以及空间探测等领域的应用十分广阔。

突破关键核心技术，推动核心芯片自主创新，始终是五十五所的目标追求。秉持这一理念，五十五所集中工艺和设计优势力量，于2019年组建了InP多功能芯片研发团队。团队坚持自主创新、协同攻关，突破了外延生长、器件工艺以及芯片设计等方面多项技术难题，建立了先进的InP HBT多功能芯片产品技术平台。

基于该平台，团队研制的Ka波段四通道变频多功能芯片成功应用于某主动式安检系统，实时动态成像分辨率优于Si工艺研制的国外同类产品；研制的Ka波段调频连续波体制收发机芯片成功应用于某装备，实现了某装置的小型化；研制的Ka-W波段倍频器系列芯片，与GaAs工艺同类产品相比，在倍频效率、谐波抑制以及芯片面积等方面优势明显。

牢记初心使命，砥砺创新奋进。五十五所InP多功能芯片研发团队将进一步发扬团结协作与开拓创新精神，持续攻坚克难，全力保障重点研发及生产任务，在支撑高水平科技自立自强的历史重任中贡献力量。

通讯员 戴姜平 程伟