【今日推介】半导体功率器件测试相关设备
半导体器件动态参数测试系统
型号：ITC57300
核心指标：1200V 200A
检测标准：MIL-STD-750
样品要求：TO220、TO247封装或可接受引脚连线测试
服务特色：室温至高温测试，最高175℃
服务周期：3天
地区：广东
浪涌电流测试系统
型号：PIF8000
核心指标：浪涌最大值500A；10ms，8.3ms正弦波，方波；
检测标准：MIL-STD-750
样品要求：TO220、TO247封装
服务特色：可加热做高温测试（最高175℃）
服务周期：3天
地区：广东
半导体器件分析仪
型号：1505A
核心指标：电压3000V 电流500A
检测标准：MIL-STD-750
样品要求：无特殊要求
服务特色：室温至高温测试，最高175℃
服务周期：3天
地区：广东
雪崩测试系统
型号：ITC55100
核心指标：电压1500V、电流100A
检测标准：MIL-STD-750
样品要求：分立器件
服务特色：可加热
服务周期：3天
地区：广东
热阻测试仪
型号：T3ster
核心指标：电流1500A，电压8V
检测标准：JESD51-14-2010
样品要求：IGBT、MOS模块
服务特色：稳态、瞬态，曲线
服务周期：3天
地区：广东
功率循环测试系统
型号：PWT1500A
核心指标：电流1500A，电压8V，最多可同时测试12只器件
检测标准：IEC60749-34-2010
样品要求：IGBT、MOS模块
服务特色：可测K系数、热阻，SiC MOS模组
服务周期：45天
地区：广东
高温高湿反偏/栅偏测试系统
型号：H3TXB-GR3-2000
核心指标：电压2000V，温度180℃，湿度10-98%RH
检测标准：JESD22-A108-F-2017
JESD22-A101D-2015
样品要求：IGBT、MOSFET模块；TO220、TO247封装SBD、MOSFET、IGBT
服务特色：可远程实时查看测试进度和样品状态
服务周期：45天
地区：广东
功率循环测试系统
型号：PWT1800A
核心指标：电流1800A，电压12V，最多可同时测试12只器件
检测标准：IEC60749-34-2010
样品要求：IGBT、MOS模块
服务特色：可测K系数、热阻，SiC MOS模组
服务周期：45天
地区：广东
超声波扫描显微镜
型号：PVA 301
样品要求：无特殊要求
服务周期：5天
地区：广东
高速寿命试验装置
型号：EHS-222m
核心指标：温度105℃-142.9℃，湿度75-100%rh，压力范围0.02-0.196MPa
检测标准：JESD22-A110
样品要求：HAST测试限TO220、TO247封装；
服务周期：5天
地区：广东
快速温变试验箱
型号：GFS-400-15
核心指标：温度-70℃~180℃，最大升降温速率15℃/min
检测标准：JESD22-A104F-2020
样品要求：无特殊要求
服务周期：45天
地区：广东
高低温试验箱
型号：GPS-3
核心指标：温度-70℃~180℃，湿度10-98%RH
检测标准：JESD22-A119A-2015
样品要求：无特殊要求
服务周期：45天
地区：广东
半导体器件功率循环试验系统
型号：ITC52300
核心指标：电压48V，测试电流10mA，最多可测试16通道
检测标准：MIL-STD-750F
样品要求：TO220,TO247封装,SBD、MOSFET、IGBT
服务特色：SiC、Si器件均可
服务周期：45天
地区：广东
小型冷热低温冲击试验箱
型号：TSE-12-A
核心指标：温度-65℃-150℃，转移时间＜10s
检测标准：GB/T 2423.22-2012
样品要求：无特殊要求
服务周期：45天
地区：广东
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