英特尔Fellow谈芯片工艺技术的转变

光刻人的世界 今天

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英特尔是一个无需介绍的名字。过去，该公司开创了为更快、更高效的芯片组铺平道路的技术。这反过来又导致计算机的计算能力，无论是家用个人使用的计算机、商用 PC 还是用于科学研究和数据中心的超级计算机，多年来显着增加。最近，这家芯片制造商分享了 2025 年及以后的路线图。作为过程的一部分，该公司还分享了各种制程工艺，这些技术和制程将为更先进的具有更高计算能力和效率的芯片铺平道路。

英特尔宣布推出Intel 7技术，该技术将于 2021 年在 Alder Lake 为客户提供服务，在 Sapphire Rapids 为数据中心提供服务。它的生产预计将于 2022 年第一季度开始。它还推出了Intel 4，它使用 EUV 光刻技术使用超短波长光打印令人难以置信的小特征。它将在 2022 年下半年投入生产，用于 2023 年发货的产品，包括用于客户的 Meteor Lake 和用于数据中心的 Granite Rapids。此外，该公司还推出了Intel 3，准备在 2023 年下半年开始生产产品，Intel 20A RibbonFET 晶体管和 PowerVia 背面供电系统，通过消除晶圆正面的电源布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。此外，英特尔宣布高通是采用其新宣布技术的公司之一。

在 2024 年之后，该公司宣布它已经在为 2025 年初开发Intel 18A ，这将带来晶体管性能的又一次重大飞跃。

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在这些公告的间隙，我们与英特尔Fellow Dheemanth Nagaraj 进行了互动，以了解这些新发布将如何改进现有技术设置。以下是我们与英特尔首位印度Fellow的对话摘录……

Intel 20A 与现有技术设置有何不同？它将带来哪些优势？

Intel 20A继Intel 3之后，将成为制程技术的又一个分水岭，具有两项突破性技术：

借助英特尔 20A，我们可以在原子级别制造设备和材料……总的来说，我们期望Intel 20A 上的英特尔和行业产品范围广泛。

在比较 RibbonFET 和 FinFET 时，我们看到了什么样的差异？

我们将推出采用 Intel 20A 的 Gate All Around (GAA) 晶体管，这是自 2011 年率先推出 FinFET 以来我们的第一个新晶体管架构。

我们的工艺路线图针对高性能应用进行了调整。我们 RibbonFET 技术中的 GAA“纳米片”可在所有电压下实现更高的驱动电流，这将转化为我们产品的显着性能提升。正如我们对 FinFET 技术所做的那样，我们将在后续几代中继续增强 RibbonFET 技术。英特尔 18A 已经在 2025 年初开发，对 RibbonFET 进行了改进，这将在晶体管性能上实现另一次重大飞跃，同时每瓦工艺性能明显领先。

英特尔宣布将与高通合作开发其Intel 20A 工艺技术。你能分享一些这方面的细节吗？

我们也很高兴有机会使用我们的Intel 20A 工艺技术与高通合作。英特尔和高通都坚信移动计算平台的先进发展和开创半导体新时代。

我们可以期待Intel 7 和 EMIB 为您即将推出的数据中心产品 Sapphire Rapids 带来哪些进步？Intel 4 给 Granite Rapids 带来了哪些进步？

以前称为增强型 SuperFin，基于晶体管级优化，Intel 7 预计每瓦晶体管性能比英特尔 10nm SuperFin 提高约 10% - 15%。Intel 7 将在 Sapphire Rapids 中用于数据中心，预计将于 2022 年第一季度投入生产。

即将推出的 Sapphire Rapids SoC 也将成为第一个与 EMIB 批量出货的至强产品。EMIB 是一种多芯片互连桥接器。EMIB（嵌入式多芯片互连桥接器）不是使用其他 2.5D 方法中常见的大型硅中介层，而是一种小型桥接芯片，在标准有机封装中嵌入了多个布线层，在多个瓦片之间提供高性能连接，以实现几乎等同于整体性能。与标准封装互连相比，EMIB 具有 2 倍的带宽密度和 4 倍的电源效率。

我们的 2023 CPU 产品路线图包括用于数据中心的“Granite Rapids”。Granite Rapids 将采用我们的第二代 EMIB，并将拥有基于 Intel 4 的计算单元。Intel 4 是我们第一个完全支持使用极紫外光刻或 EUV 的节点。英特尔 4 预计每瓦的工艺性能将提高约 20%，超过一个完整节点的价值增长，并将于 2022 年下半年投入生产，并于 2023 年交付产品。

PowerVia 将如何提高处理器的整体效率？我们会在客户端或数据中心解决方案中看到这项技术吗？

PowerVia 与Intel 20A 一起推出后，将成为业界首次部署的背面供电网络技术。它通过从背面引入电源，显着减少了对晶圆正面电源布线的需求，从而为优化信号布线提供更多资源，从而减少信号延迟。总体结果是 IP 块级别的性能提升和功率泄漏的减少。

我们希望在较早的节点上测试 PowerVia，以确保这项突破性技术在 2024 年与 Intel 20A 一起量产之前完全准备就绪。我们还希望 PowerVia 的第一个产品成为领先的客户端解决方案。

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转自：摩尔芯闻
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