Titan Cubed Themis G2 300

# 设备介绍

配备Cs DCOR Probe 校正器；点分辨率：200 pm @ 300 kV

信息分辨率：100 pm @ 300 kV，110 pm @ 200 kV，180 pm @ 80 kV

STEM分辨率：60 pm @ 300 kV，70 pm @ 200 kV，110 pm @ 80 kV

服务能力

形貌观察：对各种材料内部微观结构和表面结构，如缺陷、界面和外暴露面等，进行高空间分辨率表征；配合三维重构技术可以得到纳米颗粒等的三维立体形貌；功能材料原位加热实验表征。

结构分析：利用选区电子衍射、高分辨透射图像、高分辨扫描透射图像、差分相位衬度扫描透射电镜技术(iDPC -STEM)等分析晶体材料的微区相结构。

成分分析：配合EDX能谱仪和电子能量损失谱EELS对样品中的元素成分和电子结构等进行微区分析，可以得到原子分辨率的元素面分布图像信息和元素价态信息。  

样品要求

1.3mm直径铜环承载样品，薄区在100 nm以内为佳；2. 不能测试磁性样品；须无铁、钴、镍等磁性元素，样品非低熔点、易挥发，样品无毒、无辐射。

D8 DISCOVER A25

# 设备介绍

1.X 射线发生器最大功率：3kW；最大电压60 KV，最大电流60 mA；

2.电流电压稳定度：优于±0.005%；

3.靶材：Cu靶；

4.2q转动范围：-110 °£ 2q£ 168 °；最小步长与角度重复性皆：0.0001°；

5.二维探测器信号强度高，能量分辨率20%，像素2048×2048；

6.温度范围：室温~1600 ℃。

服务能力

1.块体、粉末、薄膜材料的物相定性和定量分析；

2.衍射谱的指标化和点阵参数的测定；

3.晶粒尺寸及点阵畸变的测定；

4.织构与残余应力的测定；

5.原位加热动态结构分析等。

 Talos F200i

# 设备介绍

点分辨率：0.25 nm

信息分辨率：0.12 nm

STEM分辨率：0.16 nm

服务能力

对各种材料内部微结构进行观察；

粉末、纳米颗粒形貌和粒径观察；

选区电子衍射和晶体结构分析；

金属、陶瓷、半导体、塑料、等显微结构分析；

配合能谱仪可以对样品元素做面分布分析，以及各种元素进行定性和半定量微区分析。

Nova NanoSEM 450 

# 设备介绍

分辨率：二次电子像

高真空模式：15 kV时1.0 nm；1 kV时1.4 nm

低真空模式：30 kV时1.5 nm；3 kV时2.0 nm

背散射像：100 kV时3.5 nm

探测器：

E-T二次电子探测器，极靴内二次电子探测器，极靴内背散射电子探测器，低真空二次电子探测器，镜头安装定向背散射电子探测器，STEM扫描透射探测器，样品室IR-CCD相机。

能谱仪：

型号：Quantax200 XFLash6|60

元素分析范围：Be (4) －Am (95)