另一边,2021年电子元件和技术会议(ECTC)的会议上,由Micron Memory Japan和其他几个研究组织共同撰写的一篇标题为“Ultra-thinning of 20 nm Node DRAMS down to 3 µm for Wafer-on-Wafer (WOW) applications”(“将20纳米节点DRAMS基于超薄至3微米晶圆上的 (WOW) 应用”)的论文中,描述了如何使用研磨和化学机械抛光(CMP)两种不同的方法来减薄晶圆,并比较减薄前后DRAM的保留时间。 自从引入HBM以来,晶圆厚度已经从几百微米锐减到40µm左右,但达到3µm是非常了不起的。晶圆减薄工艺和混合键合技术的结合为DRAM开辟了新的可能性。