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陈大同，清华大学学士、硕士和博士学位，先后在美国Illinois大学和 Stanford大学从事博士后研究。1995年，在硅谷联合创办了 OmniVision Technology 公司。该公司研发出了世界上首颗单芯片彩色CMOS图像传感器，并于2000年在美国 NASDAQ 成功上市。2001年，在上海又联合创办了展讯通信公司。该公司研发成功世界首颗 TD-SCDMA(3G)手机核心芯片, 荣获2006年国家科技进步一等奖 , 并于2007年在美国NASDAQ成功上市。

2008年起，任北极光创投的投资合伙人；2010年初又创办了华山资本投资公司，期间投资了兆易创新、安集微电子、芯原微电子、九号机器人等多个优质项目并均已上市。2014年创办璞华资本，期间投资了近百个项目已有十余家企业成功在境内外上市。在璞华团队期间还完成了对美国 CMOS图像传感器厂商豪威(OmniVision)和美国存储器设计厂商芯成半导体(ISSI)的收购，并促成了豪威与上海韦尔的成功整合，目前韦尔已成为A股市值第一的半导体公司。

目前拥有34项美国及欧洲专利，并荣获 2006年度全国发明创业特等奖。现任清华大学教育基金会理事、中国发明协会理事和中国半导体协会常务理事，并曾任清华企业家协会主席。

施敏，1936年生于南京。获台湾大学学士学位、华盛顿大学硕士学位，以及斯坦福大学博士学位，皆在电机工程学系。自1963年到1989年在贝尔实验室担任研究员。1990年开始在阳明交通大学执教至2006年，现任该校荣誉讲座教授。曾任多所大学之客座教授，包括安徽大学、苏州大学、西安交通大学、剑桥大学、德尔福大学、斯坦福大学、瑞士理工大学及东京理工大学。

对半导体器件有基础性及开创性贡献，包括单极、微波及光电器件；而特别重要者为对金属——半导体介面电流输运之研究，包括分析量子反射、声子分散、晶格温度及杂质二维分布等，进而获得准确输运数据用于设计集成电路之奥姆接触或肖特基器件。于1967年发现“浮栅存储器效应”，此效应衍生出EEPROM及闪存。“浮栅存储器”促成无数数码系统之发展，包括人工智能、大数据、手机、云端运算、数码电视、全球定位系统、物联网及机器人等。

曾发表论文400多篇，写作或主编书籍17册，其中《半导体器件物理学》（Wiley,1969; 2nd Ed，1981；3rd Ed, with K. K. Ng, 2007 and 4th Ed, with Y. M. Li and K. K. Ng, 2021）为近代工程及应用科学作品中被引用最多之文献（超过60,000次，Google Scholar）。曾获IEEE J. J. Ebers奖、国家讲座教授奖、闪存高峰会终身成就奖及国家科学奖，是IEEE尊荣会员、工业技术研究院院士、台湾中央研究院院士、中国工程院外籍院士及美国国家工程院院士。

任天令，清华大学信息科学技术学院副院长、集成电路学院长聘教授，国家杰出青年基金获得者。长期致力于新型智能微纳器件与芯片技术的研究，包括：智能传感器件、芯片与系统，二维纳电子器件与芯片，新型存储器件与芯片等。承担多项国家重要科技项目，获得多项具有国际重要影响的创新成果。在国内外重要学术期刊和会议发表论文600余篇，获发明专利70余项。近年来，担任IEEE电子器件学会副主席（中国大陆首次）、国际电子器件会议IEDM执委（中国大陆首次）、中国微米纳米技术学会理事等重要学术任职。两次荣获清华大学“良师益友”。

魏少军，应用科学博士，清华大学教授，IEEE Fellow，国际欧亚科学院院士，长期致力于超大规模集成电路设计方法学研究、可重构计算架构研究和通信专用集成电路技术研究，主要研究领域为：超大规模集成电路设计方法学研究，高层次综合技术研究，嵌入式系统设计技术研究和可重构计算技术研究。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖及多项省部级科学技术奖等。

吴华强，清华大学教授，清华大学集成电路学院院长，2019年获“科学探索奖”-信息电子奖，2020年获国家自然科学基金委员会杰出青年基金，长期从事新型存储器与存算一体技术研究，开展了从系统、电路到器件的多层次创新研究，先后负责国家自然科学基金、国家863、973计划、重大专项、重点研发等国家重大科技任务20余项，在Nature、Nature Communications等期刊发表SCI论文100余篇，在集成电路三大顶级国际会议（IEDM/VLSI/ISSCC）共发表论文18篇， 2021年入选全球顶尖前10万科学家。

拥有美国授权发明专利21项，中国授权发明专利32项，其中4项专利转让给北京新忆科技有限公司，10项专利转让给厦门半导体工业技术研发有限公司，实现了阻变存储器技术的产业化。以第一获奖人获2017年中国产学研合作创新成果奖二等奖、2020年 “发明创业奖-项目奖”金奖、2021年第十二届发明创业人物奖。

张懋中，美国洛杉矶加州大学电机工程系系主任暨胜华卓越讲座教授(1997-2015)。曾任加州千橡城洛克威尔科学中心之高速电子实验室副主任(1983-1997)、洛杉矶TRW 和M/A-Com公司之研究工程师(1980-1983)。对高速半导体元件和高频无线及混合信号电路在通信、雷达、联结、影像等系统的研究卓著。所研发的砷化镓功率放大器製成的手机信号发射器在全球已超过500亿台，为无线通讯产业界及学术界带来开创性的贡献，荣膺国际电机电子工程学会(IEEE)会士、美国工程学院院士(2008)、中华民国中央研究院院士(2012)以及美国发明家学院院士(2015)等殊荣。曾获美国IEEE David Sarnoff Award (2006)及英国IET J. J. Thomson Medal for Achievement in Electronics (2017)。

朱一明，在美国从事存储器设计工作多年，2005年回国创办北京兆易创新科技股份有限公司，该公司现已发展成为全球Nor Flash市场的领军企业。同时，兆易创新也成为中国集成电路的领导性企业，在MCU、传感器、投资并购上都有所建树。目前兼任兆易创新董事长一职。

长鑫存储技术有限公司是定位DRAM产业为主要方向的公司，2018年起，担任长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官，并领导长鑫存储成为了中国在主流存储器产业上取得突破的主要企业之一。

中国存储器领域的开拓者和领导者。多次参与国内领先技术的研发项目，申请国际国内专利近80项。此外，还获得了由环球资源颁发的 “年度创新人物奖”及中国半导体行业协会集成电路设计分会颁发的“中国IC设计业年度企业家”等多个荣誉和奖项。

先后获得清华大学学士和硕士学位，以及纽约州立大学石溪分校硕士学位。