深紫外发光光谱（PL）

深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子枪发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。

    光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，激发波长：（1）~177 nm；（2）200nm-310 nm可调；（3）345nm-465 nm可调；（4）532 nm；（5）690nm-930 nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2 ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。

    阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30 KeV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170 nm-850 nm。

PL光谱

技术参数与能力：

波长：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调，最小激光波长可达177nm

 波长扫描范围：170nm-800nm

 温度范围：8K-350K

 时间分辨率(瞬态光谱)：2ps

狭缝、步长及激光功率视具体情况而定

CL光谱

技术参数与能力：

电子束能量：最高可达30keV

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

狭缝和步长视具体情况而定