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安森美 安森美 2022-01-06 19:00

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电动车直流快速充电桩技术的进步对于解决里程焦虑至关重要。安森美(onsemi)为电动车充电站功率级提供完整的智能电源方案,赋能高能效的快速充电系统。


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电动车充电站框图


直流快充的充电桩需要非常大的充电功率以及非常高的充电效率,这些都需要通过高电压来实现。随着功率和速度要求的提高,对SiC的需求越来越强。


SiC与硅相比具有三大优势:10倍介电击穿场强击穿场强、2倍电子饱和速度、3倍能带隙、3倍热导率。


安森美以集成IGBT和碳化硅(SiC)的高能效智能电源方案提高功率吞吐量和加快电动车充电,领先的SiC技术和封装方案的不断创新有助于简化电动车充电器的设计过程。凭借全面的分立电源和模拟方案、保护、检测和联接组合,我们提供高质量的元器件来根据客户的需求定制系统。


安森美在过去多年中积累了系统专知,同时将所有这些技术结合在一起以提供全面的方案。


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SiC模块


安森美提供900 V和1200 V SiC模块,集成了SiC MOSFET和SiC二极管,提供更低的导通和开关损耗,同时使设计人员能够实现高能效和卓越的可靠性。具有卓越导热性的模块封装提高功率密度,减少冷却需求,并实现紧凑强固的方案。


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SiC MOSFET


安森美提供650 V、900 V和1200 V SiC MOSFET,都包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的针对汽车和工业应用而设计和认证的选项,系统优势包括更低功率损耗,更高功率密度,更高工作频率,更高工作温度,更低EMI,最重要的是更小系统尺寸和成本,从而提高能效,用于实现快速而强固的设计。


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3

IGBT


这些产品平衡VCE(sat)和Eoff损耗以及可控的关断Vce过冲,提供最佳性能。

它们还以正温度系数、低饱和电压(VCE(sat))、极低的开关和导通损耗以及快速开关提供极高的可靠性和性能。

它们非常适合高性能电源转换应用,甚至经过设计和认证,适用于汽车和工业应用。


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SiC二极管


安森美提供650 V、1200 V和1700 V SiC二极管,包括AEC-Q101认证和符合PPAP的专门针对汽车和工业应用而设计和认证的选件。 


SiC肖特基二极管使用全新的技术,提供比硅更胜一筹的开关性能和更高的可靠性。

无反向恢复电流,与温度无关的开关特性和出色的热性能使SiC成为下一代功率半导体。

系统优势包括极高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI)以及更低的系统尺寸和成本。


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门极驱动器


高性能氮化镓(GaN)、IGBT、MOSFET、电隔离、光隔离和SiC MOSFET驱动器,是高功率应用的理想选择。这些驱动器是为实现高系统能效、高可靠性、短传播延迟等而设计的。这些门极驱动器的理想性能特征使其能够满足汽车、工业、云电源和计算应用的要求。


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整流器


安森美的整流器产品组合包括Single, Ultrafast, Standard Recovery, Fast Recovery, Bridge, Single Common Anode, Dual Common, Cathode, Schottky, Series, Ultrasoft和Extremefast整流器。


其低功率损耗和高能效的理想性能特性使其适用于开关电源、逆变器、转换器、不间断电源(UPS)、超声波系统、斩波器、低射频干扰以及续流二极管和钳位二极管。

这些整流器在开关电源和其他电源开关应用中用作升压二极管的续流方面表现出色。

它们的低存储电荷和超快软恢复使许多电源开关电路中的电噪声最小化,从而降低了开关晶体管的功率损耗。

该产品组合还包括符合AEC-Q101和PPAP的选项。该产品组合还符合UL 94 V-0、MIL-STD-202和J-STD-020的MSL 1等标准。


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电流检测放大器


安森美的电流检测放大器产品组合包括各种电压输出、电流检测放大器和分流监控器,它们可以在从-0.3 V到26 V的共模电压下测量分流器上的电压,与电源电压无关 。


这些产品最小化物料单(BOM)空间并实现了系统灵活性。它们成本低、精度高、能效高,并且对电池使用寿命的影响最小。

应用包括电源监控、电源适配器、LED电源、过流保护、闭环反馈电路和反馈控制环路、电流检测(高侧/低侧)、外部AC-DC商用电源、无线通信和DSC。

该产品组合还包括符合AEC-Q101和PPAP的选项。


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运算放大器(Op Amps)


这些运算放大器(运放)包括各种高增益差分放大器,提供单通道、双通道和四通道架构的轨到轨输入和/或输出。


该系列产品的理想性能得益于宽电源范围、高精度性能、宽带宽、低噪声和低功耗。

该系列产品还包括符合AEC-Q101和PPAP的选项。


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低压降稳压器(LDO)


LDO为低功耗、节省空间和低噪声的设计要求提供了最佳方案。设计的简单性和少量的外部元件使其易于集成到最终产品中。这宽广的产品阵容具有高电源抑制比(PSRR)、低噪声、低静态电流(Iq)、低压降和宽输入电压范围等特点。


作为市场的领导者,安森美提供的器件以安全可靠的设计和高质量的制造提供行业最佳性能。封装选项包括业内最小的尺寸和较大的功率封装,为汽车、工业和消费应用提供理想的方案。


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