表面贴装器件S参数测量方法!图文详细解说S参数

滤波器 2022-03-15 23:51
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1.  表面贴装器件S参数测量方法!


在微波射频领域,当测试一个器件时,最大的挑战之一,是如何消除有害的夹具效应.端口延伸和TRL 校准是补偿校准参考平面和仪器的测量平面不一致而引起的误差的最简单方法之一.


校准之后,可以利用端口延伸特性来补偿由于增加诸如电缆.适配器或夹具所引起的延伸测量参考面的误差.当要求很高的测量精度,并且没有与被测件连接器类型相同的校准件时,例如使用夹具进行测量或使用探针进行晶片上测量时,经常需要进行TRL校准.TRL 校准通过测量两个传输标准和一个反射标准来确定12 项误差系数,而传统的SOLT 校准通过测量一个传输标准(T)和三个反射标准(SOL)来确定同样多的误差系数.



1 端口延伸的实现


在端口延伸之前,一般需要两个步骤.第一步,做一个全双端口的校准,这一步去除了矢量网络分析仪.连接电缆和各种同轴连接器的误差,并给所有的夹具连接处以很好的源匹配.第二步是使用端口延伸进行测试夹具.电缆或适配器的校准.这一步就可以去掉它们的插损和响应延迟.

端口延伸包括手动端口延伸和自动端口延伸,手动端口延伸是在已知附加传输线的某些特性的情况下进行的,否则可以使用自动端口延伸.端口延伸的主界面如图1 所示:

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1.1 手动端口延伸的过程

  1)选择一个校准后的S11 测量(端口1);若要对端口2 进行延伸,请选择校准后的S22 测量.

  2)选择显示格式为相位格式.

  3)在校准参考面上连接OPEN 或SHORT,检验相位在频率跨度内是否在0 或0 附近.

  4)连接附加传输线或夹具,并在DUT 的位置连接一个OPEN或SHORT?然后逐步增加延时,直到相位响应在整个关心的频率跨度内为平坦的.

  5)若已知附加传输线的损耗,直接输入损耗补偿值,可以使用一个(损耗1)或两个数据点(损耗1 和损耗2)进行损耗补偿.


如果已知附加传输线的电长度,则直接在图1“时间”中输入即可.如果已知附加传输线的物理长度,增加“时间”直到“距离”


等于附加传输线的物理长度即可.如果既不知道附加传输线的电长度也不知道附加传输线的物理长度,那必须在新的参考面上连接一个开路器或短路器.这样就可以使用自动端口延伸.


1.2 自动端口延伸过程

  1)连接附加的传输线或夹具后,在新的参考面上连接开路器或短路器.

  2)在图1 中点击“自动端口延伸”,出现如图2 所示的对话框,然后点击图2 中的“显示配置”进行相应的设置.

  3)点击图2 中的“开路”或“短路”进行自动端口延伸的计算,自动计算出来的延时与损耗会显示在图1 相应的文本框中,同时,自动计算完毕后会自动打开端口延伸功能.


1.3 自动端口延伸的实现

自动端口延伸的界面如图2 所示.

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2 TRL 校准


TRL(Thru-Reflect-Line)校准包括一系列的校准技术,如TRM(Thru-Reflect-Match).TRL 校准通过测量两个传输标准和一个反射标准来确定12 项误差系数,而传统的SOLT 校准通过测量一个传输标准(T)和三个反射标准(SOL)来确定同样多的误差系数.


如果需要对矢量网络分析仪进行TRL 校准,由于支持TRL校准的校准件非常少,此时必须构建和定义与被测件介质相同的校准件,而制造3 个TRL 标准比制造4 个SOLT 标准要更容易.


TRL 校准适合窄带校准,当需要进行宽带校准时必须使用多个传输线标准,例如,2GHz ~ 26GHz 频段需要两个传输线标准,而在低频段,传输线标准会特别长.


TRL 校准标准需要定义三个标准:直通标准.反射标准和传输线标准.下面分别对这三个标准在定义和构建的过程中应该注意的事项一一进行介绍.


2.1 直通标准

直通标准可以是零长度也可以是非零长度,零长度直通因为没有损耗和特征阻抗要更精确一些.直通标准的电延时不能与传输线标准相同,如果精确的定义了其相位和电长度,可以用它在校准时建立测量参考平面.


2.2 反射标准

反射标准可以是有高反射系数的任何物理器件,连接到两个测量端口反射标准的特性必须完全相同.在校准时并不需要知道标准件反射的幅度,但必须知道相位,而且其电长度必须在1/4 波长以内.如果精确的定义了反射标准的幅度和相位,可以用它来建立测量参考平面.


2.3 传输线标准

传输线标准用来建立校准后的测量参考阻抗,TRL 校准由于传输线标准的限制存在以下不足:

  · 传输线标准必须与直通标准的阻抗相同.

  · 传输线标准的电长度不能与直通标准相同.

  · 传输线标准在整个频率范围内必须有适当的电长度,在每个频率点,传输线标准与直通标准的相位差必须大于20小于160,因此实际单根传输线能覆盖的频率范围为8 :1?为了覆盖更宽的频率范围,需要多个传输线标准.

  · 在低频段,传输线标准会特别长,传输线标准的最优长度为频率跨度几何平均频率(起始频率× 终止频率的平方根)的1/4 波长.


2.4 匹配标准

当所需长度或损耗的传输线不能制造时,可以使用匹配标准来代替传输线.

· 匹配标准为连接到端口上的低反射终端.

· 在TRL 校准的误差系数计算时,将匹配标准作为高损耗.无限长度的传输线.

· 匹配标准的阻抗变为测量的参考阻抗.




3 TRL 校准的实现


要实现利用矢量网络分析仪的TRL 校准功能测量表面贴装器件的S 参数,必须制作相应的测试夹具,测试夹具制作好后才能在相应的测试夹具上制作TRL 校准标准件.下面以MAX2640 低噪声放大器(LNA)的S参数测量和稳定性分析为例介绍一下TRL校准标准件制作的过程.


对MAX2640 进行S 参数测量时使用了两套评估(EV)板和一台网络分析仪(HP8753D).将第一套评估板(kit#1)的IC 去掉用于校准,利用第二套评估板(kit#2)进行实际测量,该套评估板保留了IC,但无匹配元件.


1. 对双口网络进行了完整的校准操作,校准范围包括与矢量网络分析仪相连接的电缆.


2. 当我们测量第二套评估板(kit#2)上不带匹配元件时IC 的S 参数时,将短接线放置到了第一套评估板(kit#1)上MAX2640 输入和输出引脚的焊接位置(参见图3).

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3. 调整网络分析仪的端口延时,使315MHz 时输入端和输出端的阻抗都尽可能接近于短路状态.此时我们就可以利用该校准在第二套评估板(kit#2)上的MAX2640 器件引脚处进行S 参数测量.


4. 然后修改第一套评估板(kit#1),将上面的短接线移置到上次匹配元件的放置点.再一次调整网络分析仪的端口延时,使315MHz 时输入端和输出端的阻抗都尽可能接近于短路状态.


5. 接着将匹配元件放回到第二套评估板(kit#2)上,对评估板上带有匹配元件的IC 进行S 参数测量.


6. 为了证实仅测试IC 时(上述步骤3)S 参数的正确性,将所得的S 参数导入ADS(微波仿真软件),并在所建模型中加入匹配元件和传输线.同时为了模拟板上存在的寄生效应,在模型的输入引脚和输出引脚加一只0.5pF 电容.然后将所建立的模型的仿真性能曲线与评估板上带有匹配元件时所测得的IC S 参数(上述步骤5)进行比较.



4 测试结果


  图4 至图9 曲线标注定义如下:

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MAX2640_Epcos_1GHz_simulation :只对工作台上不带匹配元件的IC 进行了测量,利用所测得的S 参数进行仿真,并在ADS的仿真模型中加入了匹配元件.


MAX2640_Epcos_1GHz_bench :在评估板上加入了匹配元件后再对IC 进行S 参数测量.

上述数据表明所进行的两个测试中,幅值和相位性能都非常接近.除去微小的频率偏移,仿真结果( 利用不带匹配元件的IC 的测试S 参数建立模型,并在ADS 模型中加入匹配元件后对模拟工作台进行仿真测量) 非常接近于实际性能测试( 在评估板上加入匹配元件后,对实际性能进行测试).所以可以得到这样的结论:对MAX2640 进行测量所得的S 参数是可靠的,可用于仿真和稳定性分析.



5 结论


本文简单介绍了利用矢量网络分析仪测量表面贴装器件(SMD)S 参数的两种方法.即端口延伸法和TRL 校准法,这两种方法在实际的测试过程中,可以根据对测量精度要求的高低来选择,当要求的测量精度不高时,一般选择端口延伸法.当要求很高的测量精度时,并且没有与被测件连接器类型相同的校准件时,经常选择TRL 校准法。


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2. 图文详细解说S参数


前言


S 参数 是SI与RF领域工程师必备的基础知识,大家很容易从网络或书本上找到S,Y,Z参数的说明,笔者也在多年前写了S参数 -- 基础篇。但即使如此,在相关领域打滚多年的人, 可能还是会被一些问题困扰着。你懂S参数吗? 请继续往下看...


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一、个别参数与串联S参数的差别  


问题1:为何有时候会遇到每一段的S参数个别看都还好,但串起来却很差的情况(loss不是1+1=2的趋势)?


Quick answer : 如果每一线段彼此连接处的real port Zo是匹配的,那loss会是累加的趋势,但若每一线段彼此连接处的real port Zo差异很大,那就会看到loss不是累加的趋势,因为串接的接面上会有多增加的反射损失。


下图所示的三条传输线


Line1是一条100mm长,特性阻抗设计在50ohm的微带线,左边50mm,右边50mm。


Line2也是一条100mm长的微带线,左边50mm维持特性阻抗50ohm,但右边50mm线宽加倍,特性阻抗变 小到33。


Line3也是一条100mm长的微带线,左边50mm维持特性阻抗50ohm,但右边50mm线宽加倍,特性阻抗变 小到33,且呈135o转折。


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观察Line1的S21发现,左右两段的S参数有累加特性


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观察Line2, Line3的S21发现, 整条线的S参数比起左右两段个别看的S参数之累加差一些


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问题2:为何各别抽BGA与PCB的S参数后,在Designer内串接看总loss,与直接抽BGA+PCB看S参数的结果不同?


Quick answer : 这与结构在3D空间上的交互影响,还有下port位置有时也有影响。


下图所示是两层板BGA封装,放上有完整参考平面的PCB两层板, 这是在消费性电子产品很常见的应用条件。


黄色是高速的差动对讯号,其在PCB上走线的部分,有很好的完整参考平面,但在BGA端则完全没有参考平面。


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HFSS 3D Layout模拟结果




二、双埠S参数对地回路效应的处理  


问题1:RLC等效电路可以估出讯号线与地回路每一段的RLC特性,但S参数却不行,原因是什么? S参数带有地回路的寄生效应吗?


Quick answer : RLC等效电路是terminal base model,而S参数是port base model,后者看的昰一个port的正负两端之间的差值。公众号 滤波器 所以S参数虽然有含地回路(return path)寄生效应,但无法单独分离出地回路的影响。


问题2:在Designer汇入S参数模型时,可以选择该S参数的电路符号要不要有每一个port的reference ground (negative terminal),或是使用common ground,使用common ground是否表示把每个port的negative terminal短路,会忽略地回路的寄生效应吗?


Quick answer : 使用common ground,并不会把return path两端short,S参数本身已经内含地回路的效应。





三、两个2-port 能否组成一个4-port  


两个2-port S参数,有可能组成一个4-port S参数吗?


Quick answer : No. 一个2-port S参数,内涵2x2 (4) matrix单元,即S11, S12, S21, S22,而一个4-port S参数,需内涵4x4 (16) matrix单元。所以明显的,当有两条线的两个2-port S参数,并不足以充分且唯一定义一个4-port S参数,即这两条"之间"的近端耦合与远程耦合条件并未被定义。换言之,一个4-port S参数可以简化(reduce order)分离出两个2-port S参数,但反之不然。





四、3D模型S参数串连的差别  



全3D模型的S参数,与分开的3D模型S参数串连的差别


常见的问题是:封装与PCB板单独抽S参数后,再于电路仿真软件串接S参数,这样的做法跟把封装与PCB直接在仿真软件中3D贴合抽S参数会有怎样的差异?

Quick answer : 封装与PCB间在Z轴上的空间耦合路径,只有把封装与PCB直接在仿真软件中3D贴合抽S参数时,才会被考虑。这样的做法当然是最准的做法,公众号 滤波器 但需不需要每个案子都一定 非得这么做不可,其实取决于结构与带宽考虑。当这条路径的耦合效应影响,在您所设计的结构下,在一定带宽以上的影响不能被忽略时,就必须考虑。





五、Port阻抗的设定  



Port阻抗的设定,对S参数本质上,与S参数的使用上,有没有影响?


Quick answer : 虽然renormalize不同的port阻抗,会得到不同的S参数曲线,但该N-port model所定义的物理效应本质上是相同的。所以对于model的使用,理论上没影响,但实际上 因为tool的transient analysis的数值处理能力(fitting ability)不同,有些时候有影响。


打个比方,在SIwave v4.0很早期的文件,会建议讯号的port阻抗设50ohm,而电源的port阻抗设0.1~1ohm,但目前的SIwave其实就不需要特别这么做,即你可以延续之前的设定习惯,或是全部都renormalize 50ohm,SIwave吐出的S参数代到Designer去用,都可以得到一样的结果。如果您使用其他的tool有遇到设不同的port阻抗,得到时域模拟结果不同的情况,建议您可以试试SIwave。





六、Export S参数模型时  


Export S参数模型时,有没有做port renormalize to 50ohm,对使用S参数有没有影


Quick answer : No





七、问题与讨论  


(1) S参数无法汇入怎么办? 


Ans:首先检查tool是否反馈任何错误讯息,再来以文本编辑器打开该S参数,检查其频点描述定义是否是递增排列(frequency monotonicity)。会出现这种乌龙错误,通常是有人手动编辑去修改S参数造成。


(2) S参数因为port数过多导致模拟耗时怎么办? 


Ans:遇到S参数模拟耗时,首先我会检查该S参数是否有passivity与causality issue,或是在Designer模拟过程中,注意看看是否在state-space fitting process卡很久。遇到多埠S参数,则试着转成state space model (.sss),仿真速度会加快不少,而透过SIwave或NdE转state space model的程序中,建议只勾enforce passivity,不用勾enforce causality,这样也会节省不少时间。(因为state space algorithm本身就满足primitive causality,所以不用担心其因果性问题)


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(3) Toushstone1.0(TS1.0)与TS2.0主要有何差别? 


Ans:TS2.0 (.ts)支持mixed reference impedance,而TS1.0 (.snp)每个port的reference impedance都要是相同的50ohm. 以SIwave为例:


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以Designer内NdE (Network Data Explorer)为例


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不管原本在SIwave或HFSS的port设定是否有指定renormalize,最后要export时还可以再决定要不要overwrite renormalize


(4)0Touchstone file可以设定noise data,那是什么东西,何时使用? 


Ans:这是在TS1.0就有定义的功能,可以对Touchstone file附加noise data定义,一般用于主动组件的S参数模型。


当你在Designer汇入S参数模型时,可以右键单击[Edit Model]检视noise data (如果有的话).


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(5)为何在2.2的例子,BGA与PCB各别S参数的loss累加(-0.29-0.8=-1.09)反而是比整个3D model一起看所得到的S参数(-1.06)来的差? 


Ans:当BGA与PCB做3D结合的条件下去抽S参数时,此时原本没有参考平面的BGA上走线,会看到一些PCB上的平面透过solder ball所贡献的些微回流路径效应。这点我们也可以透过观察Z11(Z profile)来验证。

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