俄罗斯制定芯片重振计划：今年量产90纳米，2030年28纳米！无法生产的可由中国补充！
该国的新芯片计划涉及未来八年的巨额投资，不过目标听起来并不雄心勃勃。因为台积电都已经宣布到2026年生产2nm的芯片了，但俄罗斯的计划显示到 2030 年才能实现 28nm的本地芯片制造。
俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本，到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布（约384.3 亿美元）。这笔资金将用于开发当地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本地人才培养以及自制芯片和解决方案的营销 。
在半导体制造方面，该国计划花费 4200 亿卢布（50 亿美元）用于新的制造技术及其提升。短期目标之一是在年底前使用 90nm 制造技术提高本地芯片产量。一个更长期的目标是到 2030 年建立使用 28nm 节点的制造，相比之下台积电在 2011 年做到了这一点，俄罗斯落后了将近20年。
俄罗斯在软件和高科技服务方面历来相当成功，但在芯片设计和制造方面却相对薄弱。虽然计划在国内培养本地人才和开发芯片，但该国计划在今年年底前做的一件事是建立一个“外国解决方案”的逆向工程计划，将其制造转移到俄罗斯。到 2024 年，所有数字产品都应在国内生产。该国无法在国内生产的东西预计将来自中国。
虽然俄罗斯的计划似乎包含很多项目并设定了一些目标，但应该注意的是，到目前为止，即使是中国也没有将相当一部分至关重要的芯片制造本地化。无法使用美国、英国或欧洲开发的技术的俄罗斯能否在 2024 年或 2030 年之前实现其目标仍是未知数，但这并不意味着没有可能。
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