中国半导体先驱：林兰英的追梦赤子心
来源：内容转自公众号中科院半导体所，谢谢。
把黄金时代贡献给祖国的科学事业
——林兰英的赤子之心
1948年8月，30岁的林兰英赴美留学。进入狄金逊学院攻读数学，并选修物理和化学。数学系的系主任埃尔教授，很欣赏林兰英，赞叹：“她是一个不可多得的东方才女。”埃尔教授想推荐林兰英前往芝加哥大学攻读数学博士学位，但林兰英并未为此心动。因为1948年美国贝尔实验室的物理学家运用固体物理理论解释了半导体现象，并与冶金技术结合制成了世界上第一块半导体锗单晶，轰动了全世界。有过物理教学经验的林兰英，敏感地意识到固体物理对一个国家增进国力的作用，她的心中始终装着祖国。因而，在数学领域已经颇有造诣的林兰英，决定从数学转换到物理专业。
1949年深秋，林兰英走进了美国费城宾西法尼亚大学研究生院，开始了固体物理的研究。1955年夏，她完成了《弱X射线辐照引起氯化钾和氯化钠晶体的膨胀》论文，通过答辩，获得博士学位，成为宾西法尼亚大学建校115年来的第一位中国博士，也是该校有史以来的第一位女博士。这篇论文于1956年5月发表在美国著名的《物理评论》杂志上。
1955年林兰英获美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位后留影
1956年12月，处在异国他乡的林兰英，并没有被优越的生活条件所打动，相反，她对“祖国”这两个字的感受更为深切，更为真诚，她更关心的是祖国的发展。“祖国是我的，我是祖国的”，林兰英积极响应祖国的召唤，回归故里，为新中国的社会主义建设事业添专加瓦，奉献才华。于是，林兰英以母亲病重为由，向美国当局递交了回国的申请。
当时与新中国为敌的美国，对林兰英这样有造诣的华裔科学家，是不愿意“放虎归山”的。林兰英谢绝了公司同行们的热情挽留，冲破了联邦调查局的利诱、威胁和恐吓，终于办成了回国手续。
离美时，她在美工作所积蓄的6800多美元被无理扣留，归国后自己和家人的生活极为困难，需借钱度日，但林兰英仍将她在索菲亚公司工作期间积攒的当时价值20多万元人民币的500克锗单晶和100克硅单晶捐献给了中国科学院，成为中国半导体科学工作者求之不得的无价之宝。
1957年春天，林兰英回到了阔别数载的祖国，并马上开展半导体研究。当时，我国的半导体事业十分落后，硅单晶计划在1968年才进行制作。林兰英加入以后，仅半年，就拉制出了我国第一根锗单晶。之后，仅用一个月的时间就研制出n型和p型的锗单晶各1公斤，提供给北京电子管厂生产半导体收音机所需的锗晶体管。1958年，中国诞生了首台半导体收音机……
1957年秋林兰英在办公室留影
爱国是个古老永恒的话题，也是个常说常新的话题。80年代中期，林兰英院士去美国几所大学访问，向那里的中国留学生说了这样一段话：“不能用50年代的条件要求你们，因为时代不同了。但无论是50年代还是80年代，甚至是21世纪，有一个我们大家必须遵循的共同点，那就是凡是炎黄子孙，你应该把你的黄金时代贡献给祖国的科学事业。”
参考文献：
1.晓菲 、曾默：林兰英：中国太空半导体之母，香港《文汇报》，1994年1月24日。
2. 游和平：《老一代革命家与科学家的故事》，中央文献出版社，2008年。
3. 何春藩、王占国：《林兰英传》，科学出版社，2014年。
